三极管中的PNP管还是NPN管是什么意思？都分别起什么作用

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三极管中的PNP管还是NPN管是什么意思？都分别起什么作用

晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有npn和pnp两种结构形式，但使用最多的是硅npn和pnp两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。

三极管的作用及分类有什么？

三极管
作用：
是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
分类：
1、按材质分: 硅管、锗管
2、按结构分: NPN 、 PNP。
3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
4、 按功率分：小功率管、**率管、大功率管。
5、按工作频率分：低频管、高频管、超频管。
6、按结构工艺分：合金管、平面管。
7、按安装方式：插件三极管、贴片三极管。
简介：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

PNP三极管的原理

pnp三极管工作原理(通俗易懂的,谢谢)

pnp和npn一样，都是发射结正偏，集电结反偏，发射极和集电极的电流主要是漂移电流，基极的电流主要是扩散电流。两种电流的性质的不同使得三极管具有了小信号增益，因为扩散电流是少子电流，漂移电流是多子电流。ic/ib=β，ic/ie=α。放大状态的pnp三极管的具体连线是发射极接高电平，集电极接低电平，基极接输入，集电极接输出。

三极管的作用是什么

三极管的主要作用是电流放大，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

PNP三极管工作原理，在起开关作用时的工作原理及基极电阻分别是什么？

这个电路图是错误的。
8550的1脚应该接+5V Vcc，现在的+5V位置应该是接地，否则电路通不了。
原理是这样：
P36是单片机的IO口，它可以输出高低电平，当它输出低电平时，Q5的发射结导通（E=5V，B=0V），由于R12的电阻只有100欧，如果发射结导通，这时候，IB=（5-0.7）/100=43mA，这个基极电流非常大，足以保证三极管饱和导通（8550的贝塔一般也就是100-200多，按200计算，如果此时还是放大，三极管的集电极电流将高达8.6A，早就烧穿三极管了。我个人感觉R12的取值不合理，43mA，完全超过了单片机普通IO口的灌电流承受能力，会烧坏单片机的。完全可以再大一个数量级即1K，这样IB也有4.3mA，足够三极管饱和了，同时也可以保护IO口）。
从而在E、C之间形成集电极电流，这个电流流过蜂鸣器B1，会发出声音。
如果P3.6输出高电平，则发射结截止，Q5的集电极-发射极电流为0，蜂鸣器不响。

pnp型三极管的作用？

　　小信号放大，电流放大，开关管，电平转换
　　PNP型三极管，由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。
　　PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0　　当UEB>0.7V(硅)(锗0.2V),RC/RB<放大倍数时,三极管工作在饱和区,反之就工作在放大区　　
　　PNP型三极管与NPN型三极管区别
　　2个PN结的方向不一致。
　　PNP是共*极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。
　　NPN则相反
　　工作原理：
　　晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空*）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空*进行复合，被复合掉的基区空*由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
　　Ie=Ib+Ic
　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
　　β1=Ic/Ib
　　式中：β1--称为直流放大倍数，
　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
　　β= △Ic/△Ib
　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
　　三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。