mos管的作用

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mos管是什么东西呢

MOS晶体管的概念和特性分别是什么？

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属**物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管）， 即以金属层（M）的栅极隔着**层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特 点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电 流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置。 2.功率MOSFET 的结构和工作原理 功率MOSFET 的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极 之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。 采纳哦

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MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。 在计算机领域，CMOS指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。 MOS场效应管也被称为金属**物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。 扩展资料： 当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。 另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器（Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器） 或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。 虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同， 但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的数字─模拟转换器（ADC）将获得的影像信号转变为数字信号输出。 参考资料来源：百度百科——场效应管 参考资料来源：百度百科——mos管 参考资料来源：百度百科——CMOS

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请教：MOS管做开关电路

你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路： 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

mos管是什么原理？起什么作用？

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MOS管的原理： 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 作用： 1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、可以用作可变电阻。 4、可以方便地用作恒流源。 5、可以用作电子开关。 简介： mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—**物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 结构特点： MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 n沟道mos管 p沟道mos管 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二**硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

mos管在电路中的作用

三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方，但是这两种元件有什么区别？用一个电路告诉你